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半导体分立器件测试仪---BJ2984
  功能特征
本仪器可对各种类型锗,硅PNP及NPN型三极管的瞬态热阻参数进行快速测量。
选取被测管发射极正向压降Vbe作为温度热敏参数,利用特定条件下Vbe的温度系数M曲线之聚交特性,实现了不同恒温槽系统的M参数单点快书测试:测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化,即可得到被测管的瞬态热阻参数。
本仪器的M及Vbe的变化数值均由识字电压表自动显示。 当给被测管施加1os~5000s的单次功率脉冲并同时测量其壳温时,本仪器亦可用于测量各类晶体三极管的稳态热阻参数。
本仪器的配套电源为本厂生产的WD-9型晶体管稳压电源。 
功 能 参 数
主要参数 
技术性能: 
(1)测试功率:0~750W(10V, 5A或300V, 2.5A) 
(2)Vce电压:0~300V连续可调 分两挡:1~100V(5A)0~300V(2.5A)误差<正负3% 
(3)Ie电流0~5A连续可调 分六挡:0~100mA, 0~200mA, 0~500mA, 0~1A, 0~2A, 0~5A。误差<正负3% 
(4)M数字电压表:0~-4.00(mV/C) 
(5)Vce数字电压表:0~999(mV) 
(6)功率脉冲脉宽1ms~1000s 分七档:1ms, 10ms, 100ms(瞬态热阻测量) 1s, 10s, 100s, 1000s(稳态热阻测量) 
(7)测试时间 a.瞬态热阻测试:<3s b.稳态热阻测试:10s~5000s